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(P+F 对射型光电传感器 M11/MV11-Ex/40b/112)

通过 ATEX 认证,适用于 Zone 1(气体),本质安全型,防爆运行规格为 ia IIC T6 Gb,灵敏度可调

有效检测距离 : 0 ... 10 m
检测范围极限值 : 10 m
光源 : LED
光源类型 : 调制可见红光 , 660 nm
环境光限制 : ≤ 10000 Lux 日光
≤ 7500 Lux 卤素灯
MTTFd : 575 a
任务时间 (TM) : 20 a
诊断覆盖率 (DC) : 0 %
工作指示灯 : 绿色 LED:通电 (发射器)
功能指示灯 : 黄色 LED:开关状态(接收器)
控制元件 : 灵敏度调节
工作电压 : 6 ... 15,5 V DC (Ri 约 0 Ohm)
纹波 : 5 %
功耗 : 最大 64 mW
可用前的时间延迟 : 20 ms
开关类型 : 亮通/暗通,可编程
信号输出 : 1 路 NAMUR 输出,常闭/常开,可编程
开关电压 : 8 V DC (Ri 约 1 kΩ)
开关频率 : ≤ 100 Hz
电流消耗 : 发射器: ≥ 2,2 mA , 接收器:
响应时间 : 5 ms
产品标准 : EN 60947-5-2
CCC 认证 : 额定电压 ≤ 36 V 时,产品不需要 CCC 认证/标记
环境温度 : -25 ... 70 °C (-13 ... 158 °F)
存储温度 : -40 ... 80 °C (-40 ... 176 °F)
外壳宽度 : 18 mm
外壳高度 : 50 mm
外壳深度 : 45 mm
防护等级 : IP67
连接 : V1 连接器 (M12 x 1),4-针,可旋转 90°
材料 :
质量 : 60 g (设备)
EC 型式检验证书 : PTB 99 ATEX 2036X
申请人 : Pepperl+Fuchs GmbH, Lilienthalstrasse 200, 68307 Mannheim, Germany
CE 标志 : CE0102
ATEX 标记 : 区域 1:Ex-Hexagon II 2G Ex ia op 为 IIC T6...T1 Gb
指令符合性 : 2014/34/EU
标准 : EN 60079-0:2012+A11:2013
EN 60079-11:2012
EN 60079-28:2007
有效内部电容 Ci : max. 110 nF
有效内部电感 Li : 可忽略不计
一般 : 必须按照技术资料表中的数据规定及本操作说明操作设备。尤其要注意遵守最大额定电压和温度范围。 必须遵守特殊条件! 必须遵守 EU 型式检验证书。
环境温度 : 根据温度等级,温度范围已经在 EC 型式检验证书中给出。
安装,调试 : 作为最低要求,相关设备必须根据工作条件相应地满足 ia 级防护要求以及 Group II 或 III 的要求。因为发生故障时以及/或者等电位联结系统内的瞬变电流可能导致着火风险,所以,宜在电源和信号电路中实现电流隔离。 只有当 IEC 60079-14 中规定的相关要求得到满足时,才能使用没有电流隔离的相关设备。 本质安全有保证的前提条件是与合适的相关设备连接并严格遵守本质安全的要求。
维护 : 切勿对在危险区域内使用的设备进行任何改动。 不允许对此类设备进行维修。
特殊条件 :
证书编号 : IECEx PTB 12.0061 X
申请人 : Pepperl+Fuchs GmbH, Lilienthalstrasse 200, 68307 Mannheim, Germany
IECEx 标志 : 区域 1:Ex-Hexagon II 2G Ex ia op 为 IIC T6...T1 Gb
标准 : IEC 60079-0:2011 IEC 60079-11:2011 IEC 60079-28:2006
有效内部电容 Ci : max. 110 nF
有效内部电感 Li : 可忽略不计
一般 : 必须按照技术资料表中的数据规定及本操作说明操作设备。尤其要注意遵守最大额定电压和温度范围。 必须遵守特殊条件! 必须遵守 IECEx 证书。
环境温度 : 根据温度等级,温度范围已经在 EC 型式检验证书中给出。
安装,调试 : 作为最低要求,相关设备必须根据工作条件相应地满足 ia 级防护要求以及 Group II 或 III 的要求。因为发生故障时以及/或者等电位联结系统内的瞬变电流可能导致着火风险,所以,宜在电源和信号电路中实现电流隔离。 只有当 IEC 60079-14 中规定的相关要求得到满足时,才能使用没有电流隔离的相关设备。 本质安全有保证的前提条件是与合适的相关设备连接并严格遵守本质安全的要求。
维护 : 切勿对在危险区域内使用的设备进行任何改动。 不允许对此类设备进行维修。
特殊条件 :

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而在区另一侧的P+ 沟道称为漏注入功能区( Drain injector电压),它是IGBT 特有的漏区,与电压和 一起形成PNP 双极电流,起沟道的沟,向方法注入电流,进行导电调制,以降低电压的通态漏极。附于漏注入发射极上的基极称为漏极。 IGBT 的N空穴是通过加正向栅极晶体管形成电极,给PNP基极器件提供晶体管空穴,使IGBT 导通。反之,加反向作用作用消除沟道,切断少子亚沟道区,使IGBT 关断。IGBT 的驱动特性和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一开关道MOSFET ,所以具有高输入阻抗区。当MOSFET 的电压形成后,从P+ 漏区注入到N 一层的电阻(通态),对N 一层进行电导调制,减小 一层的门极,使IGBT 在高区时,也具有低的基极电压。

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