P+F洗车机传感器新大陆“自主RFID传感芯片的温度传感器研发及产业化”项目通过省级验收由新大陆电脑公司承接的国家发改委“基于自主RFID传感芯片的温度传感器研发及产业化项目”日前通过省级验收。这是国家发改委负责牵头实施的2012年物联网技术研发及产业专项首批项目之一;即采用传感技术，结合移动通讯、网络、云计算等技术，研发基于自主RFID传感芯片的温度传感器、基于GPRS/CDMA/3G的系列化温度采集终端和基于SOA及云计算的第三方冷链物联网信息平台，对保障人民生命健康，加强医药行业管理具有推动作用。
（P+F 超声波传感器 UC4000-30GM-E7R2-V15）
参数化接口，用于通过服务程序 ULTRA 3000 根据具体应用调整传感器设置,2 路可编程的开关输出,迟滞模式可选,可选窗口模式,同步选项,可调声功率和灵敏度,温度补偿
感应范围 : 200 ... 4000 mm 调整范围 : 240 ... 4000 mm 死区 : 0 ... 200 mm 标准目标板 : 100 mm x 100 mm 换能器频率 : 大约 85 kHz 响应延迟 : 最短 145 ms
440 ms，出厂设置 绿色 LED : 常亮：通电
闪烁：待机模式或程序功能检测到物体 黄色 LED 1 : 常亮：开关状态开关输出 1
闪烁：程序功能 黄色 LED 2 : 常亮：开关状态开关输出 2
闪烁：程序功能 红色 LED : 常亮：温度/编程插头未连接
闪烁：发生故障或编程功能没有检测到物体 温度/示教连接器 : 温度补偿 ， 开关点编程 ， 输出功能设置 工作电压 : 10 ... 30 V DC ，纹波 10 %SS 空载电流 : ≤ 50 mA 接口类型 : RS 232， 9600 Bit/s ， 无奇偶校验，8 个数据位，1 个停止位 同步 : 双向
0 电平 -UB...+1 V
1 电平：+4 V...+UB
输入阻抗：> 12 KOhm
同步脉冲：≥ 100 µs，同步脉冲间歇时间：≥ 2 ms 同步频率 : 输出类型 : 2 路开关输出，NPN，常开/常闭，可编程 额定工作电流 : 200 mA ，短路/过载保护 电压降 : ≤ 2,5 V 重复精度 : ≤ 0,1 % 满量程值 开关频率 : ≤ 1 Hz 范围迟滞 : 调节后工作范围的 1%（默认设置），可编程 温度影响 : ≤ 2 满量程值的 %（带温度补偿）
≤ 0.2%/K（无温度补偿） UL 认证 : cULus 认证，一般用途 CSA 认证 : 通过 cCSAus 认证，一般用途 CCC 认证 : 额定电压 ≤ 36 V 时，产品不需要 CCC 认证/标记 环境温度 : -25 ... 70 °C (-13 ... 158 °F) 存储温度 : -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F) 连接类型 : 连接器插头 M12 x 1 ， 5 针 防护等级 : IP65 材料 : 质量 : 180 g
威海洗车机传感器 包括山东韬浦泵业有限公司项目在内，经开区进行集中开工的还有云洲科技无人船艇、安然纳米植物干细胞、恒万智能传感器等26个项目，涉及装备制造、生物医药、商贸流通等多个领域，总投资72.2亿元，年度计划投资26.1亿元。这批项目的集中开工，拉开了经开区“招商引资和项目建设攻坚年”的序幕，吹响了项目建设的冲锋号，掀起了新一轮“大抓项目、抓大项目”的热潮，将有力地推动经开区经济奋进提速、高质量发展。
原装洗车机传感器专栏10先进制造产业升级工程 1.绿色低碳新材料。发展锂离子电池正极材料、镍钴新材料、铜基电工材料、高端电镀材料、贵金属粉体材料以及贵金属催化剂等系列产品。拓展稀土新材料应用领域，促进稀土加工分离材料向高端产品延伸。开发结构性、功能性新型钢材、轻质高强度合金材料。发展高强型碳纤维原丝及碳纤维复合材料制品，拓展碳纤维在航天航空、军工等领域的推广应用。发展绿色镀膜新材料、新型核辐照材料、石墨烯、高性能炭/石墨材料等新型材料。发展节能、节材、轻量化、高品质新型绿色建材产品。 2.石油化工装备。大力开展高端智能、石化通用装备通用控制软件平台等基础前沿技术研究。加快研发自主品牌加氢反应器、螺纹锁紧环换热器、隔膜换热器、多股流绕管式换热器、乙烯裂解炉、在线分析仪表、高压泵液力端高压流体元件、分段压裂用可溶球、伽马相分率传感器、油田数据智能采集计算机等关键设备，提升关键部件的质量稳定性和批量生产能力。 3.新能源装备。提高风电、光伏光热发电装备的智能化水平。建设酒嘉、金武风电智能化整机成套设备产业化基地，形成智能化风电整机成套设备研发制造体系。加快推进光伏电源组件项目建设，发展高性能太阳能选择性吸收真空镀膜、太阳能集热系统，形成太阳能发电设备完整产业链。 4.电工电器装备。重点发展智能高中低压电器元件、高中低压开关设备、大型传动装置用高效节能调速系统、电气传动控制设备及自动化装置、大功率变流器和智能化控制器等电工电器产品和成套设备，开发高铁、城市轨道交通、电动汽车领域智能配电用电设备。 5.集成电路产业。以天水华天、天光、华洋等企业为重点，加大新一代半导体材料和元器件工艺技术研发，提升集成电路芯片设计制造、新型功率器件和集成电路封装测试能力，延伸发展集成电路专用封测设备模具、高端引线框架、半导体封装材料等配套产品，打造西部集成电路封装测试产业基地。 6.高档数控机床。重点发展大中型智能专用数控精密机床，鼓励开发推广柔性加工单元、柔性制造系统，大力发展大型、精密、智能、高速数控锻压机床和重型、超重型智能数控锻压机床以及自动剪切等装备，开发复合加工机床及自动生产线，加快形成天水数控机床产业聚集区。 7.现代农机装备。发展种子机械、大型耕作机械和高效节水灌溉装备，扩大种子精选机、包衣机械、烘干设备生产，加快发展大型高效耕作机械、收获机械、排灌机械、大规模设施农业装备，提升大马力拖拉机、多功能联合收获机、现代农具等先进农机具制造技术水平，逐步降低高端产品进口依赖程度，提高农机产品开发和制造水平。 8.生物医药。依托兰州生物所、中农威特、中牧兰州所等龙头企业，促进本地传统优势产品的研发升级，加快人用疫苗升级换代，推动新型疫苗（包括治疗性疫苗）研发及产业化。加快生物医药产业园的建设，扩大招商引资力度，吸引国内外生物医药龙头企业入驻。加快对常见病、多发病的生物技术药物的研发，加快诊断用生物试剂研发及产业化。 9.重离子技术应用。启动建设中科院近代物理研究所兰州新区大科学装置示范园、中科院科近泰基医用重离子装备制造产业基地、重离子束辐照应用与成果转化项目等重点项目，加快兰州重离子医用加速器产业化及应用示范基地、武威重离子治疗示范中心建设，打造国家级重离子技术研发产业孵化园，辐射带动重离子相关产业发展。
P+F洗车机传感器一个项目带动多个产业。该负责人表示，项目投产后，不仅能更好地服务长三角地区大量客户群，拉动上下游产业链条高效融合和快速发展，以此推动我国关键新材料及相关战略新兴产业走上新台阶。同时，还有利于加快推进聚酰亚胺与石墨烯材料在国家战略性先进电子、新型显示、动力电池、高储能、先进半导体、薄膜传感器等制造技术中的应用，更好服务于国家在宇航战略、深蓝战略和新能源战略发展上的基础材料需求。
威海洗车机传感器在打造先进制造业高地征程中，湖南一方面巩固传统优势产业，另一方面选取了工程机械、先进轨道交通装备、信息技术应用创新、先进陶瓷材料、碳基材料、新能源及智能网联汽车、人工智能及传感器等22个新兴优势产业链（群），作为推动制造业高质量发展的着力点。
原装洗车机传感器纵观华米的发展史，从最早的手环到如今的手表，围绕健康方面，华米做了很多。独家的BioTracker™ PPG 传感器，实现了7*24小时的持久精准测量；黄山 1 号——全球首款集成了AI神经网络的可穿戴处理器；在国内率先采用EGC电极传感器，将目光对准了更加迫切的生命健康需求，测量心电图、对于健康人或许显得有些多余，但是却可能成为病人的救命稻草。技术革新不断推动新的产品出现。
上海市第十五届人民代表大会第三次会议1月15日正式开幕，上海市政府工作报告指出，今年将继续推动桃浦、南大、吴淞、吴泾、高桥等整体转型区域新兴产业发展，加快建设集成电路综合性产业创新基地、大飞机创新谷、东方美谷、市西软件信息园、嘉定智能传感器产业园、闵行马桥人工智能创新试验区、北外滩金融航运集聚区、市北高新园、长阳创谷、西岸智慧谷、虹桥临空经济示范区等重要产业载体。
2021年2月，住建部等六部门联合印发《关于加强窨井盖安全管理的指导意见》，专门提及“推动信息化、智能化建设”，要求有条件的地区运用5G、人工智能、大数据、云计算等新技术，逐步实现基于传感器和物联网的管理创新，提升窨井盖安全管理效率和水平。
所获资金将主要用于冲击波球囊导管的临床实验和其他血管介入医疗器械的产品开发。未来该公司将在医学传感器芯片技术上保持持续技术创新，推动基于新型医学传感器的高值耗材产品在医疗健康领域的大规模应用，持续为医患创造价值，做智慧医疗赋能者。
（一）基本介绍磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，磷化铟具有闪锌矿型晶体结构，禁带宽度为1.34eV，常温下迁移率为3000—4500 cm2 /(V.S)，被广泛应用于光通信、高频毫米波器件、光电集成电路和外层空间用太阳电池等领域。以上的材料属性，使用磷化铟衬底制造的半导体器件，因其特殊的材料特性，被广泛应用于生产射频器件、光模块、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子在通过InP 材料时速度快，因此利用磷化铟芯片制造的卫星信号接收机和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率，并且有很宽的带宽，受外界影响较小，稳定性很高。因此，磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料, 有可能推动卫星通信业向更高频段发展。磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）相比，电学等物理性质优势突出，在半导体光通信领域应用占据优势。作为同比材料的砷化镓，磷化铟有以下几点优势：（1）磷化铟具有高电子峰值漂移速度、高禁带宽度、高热导率等优点。InP 的直接跃迁带隙为1.34eV，对应光通信中传输损耗最小的波段；热导率高于GaAs，散热性能更好；（2）磷化铟在器件制作中比GaAs更具优势。InP器件高电流峰谷比决定了器件的高转换效率；InP惯性能量时间常数是GaAs的一半，工作效率极限高出GaAs器件一倍；InP器件具有更好的噪声特性；（3）磷化铟（InP）作为衬底材料主要有以下应用途径。光电器件，包括光源（LED）和探测器（APD雪崩光电探测器）等，主要用于光纤通信系统；集成激光器、光探测器和放大器等，是光电集成电路是新一代40Gb/s通信系统必不可少的部件。文章介绍了其广泛的应用场景，其中值得说明的是由于文章作者资料以及认知的有限性，虽然介绍了诸多的应用场景但是不可否认的是对于这种新型材料的认识以及场景的应用作者是完全概括不全的，在诸多领域作者存在介绍不全、介绍不充分的情况，望知悉！图一、磷化铟的主要应用领域（二）磷化铟制备的几种方法（1）磷化铟多晶的合成技术铟的熔点为1070℃，在此温度下，磷化铟材料有很高的离解压，熔点下的离解压为 2.75MPa，根据 Antoine 饱和蒸汽压与和温度之间的函数关系公式lgP = A-B/( T+C) 计算，在此条件下，磷蒸汽压已超过了10MPa，远大于磷化铟的离解压，所以将磷和铟直接在单晶炉内合成磷化铟单晶是非常困难的，所以一般是将高纯铟和高纯磷通过多晶合成，合成磷化 铟多晶料，然后再用磷化铟多晶料进行磷化铟单晶生长。用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷（99.999%）之间的反应来生长磷化铟层。（2）溶质扩散法溶质扩散法( SSD) 是最早用于磷化铟多晶合成方法，是 在 900℃ ～ 1000℃ 通过磷蒸汽在铟的熔体中扩散，然后反应 生成磷化铟多晶的方法。由于其生长温度低，可减少晶体中 Si 杂质对磷化铟多晶体的玷污，提高了晶体的纯度，有效提 高晶体的载流子浓度，载流子浓度可以达到 1014cm-3 的水平。但是与其他方法相比，多晶一次合成量少，合成速度慢，从而 导致生产成本高，无法满足工业批量生产的需要，目前基本已被淘汰。（3）原位直接合成法原位直接合成法包括: 磷蒸汽注入法；液态磷液封法；高压直接合成法。原位直接合成的一种方法是在同一坩埚中放置铟和磷，然后在坩埚顶部盖一个加热罩。当对此区域加热到一定温度后，坩埚中的磷先变成磷蒸汽，然后磷蒸汽加热分解到这个壁后温度降低，形成液态的磷。当达到一定量的时候，液态的磷滴到铟熔体中并与铟熔体进行瞬间反应，直到全部的铟熔体跟液态的磷合成转化为磷化铟熔体。但是，坩埚中固态红磷加热后固液转化过程中，会有大量的磷挥发，从而导致很难使用石英观察窗进行晶体生长的观察。随着检测技术的进步，现采用了 X 射线扫描技术，来观察籽晶接触和生长情况。虽说解决了晶体生长的监控，但 是这种方法会造成较多磷的浪费，也会将红磷转化为白磷，白磷剧毒，燃点较低容易自燃，所以工艺成本过大，危险性也较高。（4）VNG法VNG方法是制备磷化铟的一张重要方法，其相较其他方法而言VGF法的先进之处如下：第一，在单晶直径上，目前HB法生长的单晶直径最大一般是3英寸，LEC 法生长的单晶直径最大可以到12英寸，但是使用LEC法生长单晶晶体设备投入成本高，且生长的晶体不均匀且位错密度大。目前VGF法和VB法生长的单晶直径最大可达8英寸，生长的晶体较为均匀且位错密度较低；第二，在单晶质量上，相较其他方法VGF法生长的晶体位错密度低且生产效率稳定；第三，在生产成本上，HB法的成本最低，LEC法的成本最高，VB法和VGF法生产的产品性能类似，但是VGF法取消了机械传动结构，能以更低成本稳定生产单晶。图二、单晶晶体制备图注：中信证券研究所通过以上制备之后，磷化铟的工业化制备流程还包括化合物半导体生产过程中的通识部分，比如拉晶、滚圆、切割、研磨、蚀刻、抛光、清洗等工艺；半导体外延片生产过程主要为在抛光片的基础上进行外延生长等等。从磷化铟材料到磷化铟器件以及终端应用，还包括衬底——器件——终端应用这样一个流程。其主要类型以及参照标准可以详看下图：图三、磷化铟主要类型以及参照标准注：来源于Yole（5）研究难点目前研究的重点主要集中在以下几个方面：第一，发展InP多晶的直接合成技术，简化合成工艺、降低成本；第二，发展大直径InP单晶制备技术，减少孪晶，提高成晶率降低成本；第三，降低大直径InP单晶的位错密度。除采 用垂直梯度凝固技术(VGF)和汽压可控直拉(VCz)等工艺外，改善热场结 构，减少热应力，控制掺杂条件等工艺措施也可以实现这一目标；第四，完善 4英寸的InP晶片制备技术。尤其是改善材料表面质量；第五，提高半绝缘InP 单晶片的热稳定性，减少掺杂剂Fe的使用量。现有竞争格局
