P+F接近开关这似乎是显而易见的，但请三思。什么是你真正要测量的？换句话说，你想做什么？你希望得到什么？你打算怎么处理数据？加速度传感器可以监测振动，提供原始振动数据，而振动变送器提供均方根（RMS）值。分析原始振动数据是有用的，因为它包含了所有振动信号的信息，真实的峰值振幅和振动频率。因为RMS总值或峰值是连续4-20 mA信号，在如PLC，DCS，SCADA系统和PI控制系统中非常有用。一些应用程序同时使用两种信号。通过确定应用程序所需的各种信号，可以大大缩小搜索范围。另外，你测量振动是用加速度还是速度或位移？你有没有考虑一些工业传感器可以同时输出振动和温度？后，一些现场应用，如立式泵，好监测一个以上的轴振动。您的现场应用是否需要单轴，双轴或三轴测量？

（P+F 电感式传感器 NBN12-18GM50-E0-M-150MM-3DT04）

8 mm，齐平,温度范围扩大
-40 ... +85 °C,E1 型式批准,抗扰度提高至 100 V/m,密封性增强，防护等级
IP68 / IP69K,出色的耐冲击和防振性能

开关功能 : 常开 (NO)
输出类型 : NPN
额定工作距离 : 12 mm
安装 : 非齐平
输出极性 : DC
确保操作距离 : 0 ... 9,72 mm
衰减系数 rAl : 0,5
衰减系数 rCu : 0,4
衰减系数 r304 : 0,7
衰减系数 rBrass : 0,5
输出类型 : 3 线
工作电压 : 5 ... 60 V
开关频率 : 0 ... 1500 Hz
迟滞 : 类型 5 %
反极性保护 : 反极性保护
短路保护 : 脉冲式
感应过电压保护 : 是
浪涌抑制 : 是
电压降 : ≤ 2 V
额定绝缘电压 : 60 V
工作电流 : 0 ... 200 mA
断态电流 : 0 ... 0,5 mA 类型 0,1 µA 在 25 °C 时
空载电流 : ≤ 7 mA
可用前的时间延迟 : ≤ 220 ms
开关状态指示灯 : 黄色 LED
MTTFd : 1085,5 a
任务时间 (TM) : 20 a
诊断覆盖率 (DC) : 0 %
符合标准 :
E1 型式批准 : 10R-04
环境温度 : -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)
存储温度 : -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)
连接类型 : 缆线连接器 Deutsch DT04 ， 3 针 有 PUR 电缆 125 mm
线芯横截面积 : 3 x 0.75 mm2
外壳材料 : 黄铜，镀镍
感应面 : PBT
防护等级 : IP68 / IP69K
连接器 :
电缆 :
注意 : 模制 连接器

滨州接近开关这么多年发展过来，大家发现设备工作状态和健康状态监控有两种非常成熟且性价比非常高的方式，一个是振动监测，另一个温度监测。那监测振动就回到ADI的MEMS 传感器——加速度计。现在很多振动的监测有低噪声、单轴、多轴、高带宽等要求，ADI都有很好的产品可以满足。

样本接近开关4）磁通门传感器由磁芯外绕激磁线圈、感应线圈组成，其磁场分辨率可以达到0.1nT量级。磁通门传感器的磁芯采用磁导率高、矫顽力小的软磁材料，工作时激磁线圈中的激磁电流将磁芯激励到饱和，其激励功耗很高。为提高测量精度，磁通门传感器采用双磁芯或跑道形磁芯结构实现差分信号输出。三轴磁通门传感器也是通过单轴传感器的组合封装而成，得到的三轴磁通门传感器体积大、封装精度要求高、成本高昂，仅限于高端的应用场合。

P+F接近开关苏州希景微机电科技有限公司主要从事MEMS扫描微镜的开发和生产，并提供激光雷达核心扫描模组和发射模组。MEMS扫描微镜的镜面直径通常为数毫米，采用红外高反射薄膜，可以满足大功率激光应用的要求。微镜上集成制造了角度传感器，通过控制电路采集传感器的反馈信号以实现对MEMS扫描微镜的闭环控制。目前公司的主要产品为直径为5mm的二维MEMS扫描微镜，具有体积小、驱动功耗低、扫描频率高、扭转转角大、生产成本低等特点，主要应用领域包括汽车激光雷达（LiDAR）等3D扫描应用。此外，公司能够根据客户需求，提供不同镜面尺寸和谐振频率的单轴谐振型微镜，单轴准静态微镜，指向型微镜等定制化服务。

滨州接近开关太阳能追踪器通过顶部的光传感器实时识别光照强度，结合正浩EcoFlow独家研发的智能算法，配合每分钟6-10次的高刷新率，可精准定位最佳的阳光照射角度，进行即时的位置追踪；同时，产品配备了平移与俯仰双轴跟踪设计，相比传统单轴技术，可提供方更大面积的追踪范围的运动变化，从而实现了更高的太阳能发电效率。

样本接近开关PEDOT:PSS-PVA 水凝胶应变传感器的传感特性。a）在大基础应变 (100%) 下连续单步超低应变 (0.05%) 的检测。b) 应变传感器在周期性加载应变分别为 50%、100% 和 200% 下的电阻响应。c) 应变传感器在一系列升压下的电阻响应应变从 60% 到最大 300%，然后一系列降压应变到初始状态。d) 2000 次循环内 100% 应变下的循环稳定性。插图显示了最后 10 个循环。e)证明对压力扰动的鲁棒性。插图分别显示了单轴拉伸和伤害冲击下的传感器样品。f) 证明对离轴扭转的鲁棒性。插图分别显示了单轴拉伸和手动扭曲下的传感器样品。

但这样设计的的霍尔传感器只能感知垂直于管芯表面的的磁场变化，因此增加了磁通集中器（magnetic flux concentrator），工艺上来讲就是做原来的管芯上增加一层坡莫合金，可探测平行于管芯方向的磁场。由此，霍尔传感器实现了从单轴到三轴磁力计的跨越式发展。

三轴矢量磁传感器通常是采用相互垂直的三个单轴矢量磁传感器组合封装而成，其中单轴矢量磁传感器是只能对磁矢量一个方向的分量进行测量的传感器。目前商用或正在研究的矢量磁传感器，如霍尔磁传感器、各向异性磁阻传感器（AMR）、磁通门和微机电（MEMS）磁传感器，大多采用多芯片组合封装方法来形成三轴矢量磁传感器。

频率响应校准一般用正弦激励法，至少在七个频率点上进行，对于多轴向传感器一般只进行每个轴向2000 Hz以下的校准，对于重量较大的单轴传感器也只进行2000 Hz以下的频率响应校准。除七个频率响应校准外，尚需进行频率扫描，这是为了检查传感器在工作频段内，有无局部谐振。在扫描频段内，要求所用的振动台轴向正弦加速度失真小于5％，横向运动小于25％。若频率响应在工作频段内偏差超过10％，可能是传感器选择不当，或者是传感器性能有所变化，此时应当重新进行校准。

5）MEMS磁场传感器可以满足小型化、低功耗和低成本的要求，从上世纪90年代开始得到了快速发展。目前MEMS磁传感器的研究和开发工作主要集中于单轴的MEMS磁传感器，实现三轴磁传感器的方法是三块单轴MEMS磁传感器芯片、或两块磁传感器芯片（其中一块为单轴MEMS磁传感器，另一块为双轴MEMS磁传感器）相互垂直组合封装而成，封装要求高，同时还增加了器件的体积和封装成本。因此，利用MEMS技术的优势，发展单芯片高灵敏度、低功耗、低成本的三轴磁传感器具有重要的实用价值和市场前景。